T=650 мК для S1 и T=700 мК для I1. Данные показывают, что по поведению при относительно высоких температурах невозможно предсказать будет ли плёнка сверхпроводящей или диэлектрической при более низких температурах. Нижняя врезка: зависимость
плёнки S1 и "первой" диэлектрической I1 при температуре 60 мК. Верхняя врезка: R(B) при
Рис. (а) Магнитополевые зависимости сопротивления для "последней" сверхпроводящей
магнитном поле плёнки однозначно выбирают основное состояние (сверхпроводящее или диэлектрическое), их поведение при помещении во внешнее магнитное поле, перпендикулярное плоскости плёнки весьма схоже.
Экспериментально исследованы низкотемпературные свойства тонких сверхпроводящих плёнок нитрида титана, находящихся в критической области квантового фазового перехода сверхпроводник-изолятор по беспорядку. Хотя в нулевом
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА Сибирского отделения РАН
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ им. А.В.РЖАНОВА СО РАН
Комментариев нет:
Отправить комментарий